1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中的.. （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP ř
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP ř
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V ，除非
另有规定ED 。
民
典型值
2.4
—
–1
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
0.5
参数
测试条件
最大
—
—
—
—
—
—
7
7
8
1.5
—
单位
—
0.8
1
10
—
0.025
9
10
11
—
—
V
V
µA
– 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
直流测试
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
V
V
Ω
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 18V
I
PK
I
转
峰值输出电流
V
DD
= 18V
闭锁保护
占空比
≤
2%
承受反向电流T
≤
300µsec
上升时间
图1
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 18V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
1.0
0.1
35
40
40
35
40
40
35
40
45
35
40
45
2.0
0.2
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-252
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
