反相电压倍增
TC682
绝对最大额定值*
V
IN
.......................................................................... +5.8V
V
IN
dv / dt的............................................... .............. 1V /微秒
V
OUT
......................................................................– 11.6V
V
OUT
短路持续时间连续............................
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ........... 730mW
SOIC ................................................. .............. 470mW
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*这是一个额定值，器件在这些功能操作
或高于任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
电气特性：
在工作温度范围内，V
IN
= + 5V ，测试电路如图1所示，
除非另有说明。
符号
V
IN
I
IN
R
OUT
参数
电源电压范围
电源电流
V
OUT
源电阻
源电阻
振荡器频率
功率英法fi效率
电压转换效率
测试条件
R
L
= 2kΩ
R
L
=
∞,
T
A
= 25°C
R
L
=
∞
–
I
L
= 10毫安，T
A
= 25°C
–
I
L
= 10毫安
–
I
L
= 5毫安，V
IN
= 2.8V
R
L
=为2kΩ ，T
A
= 25°C
V
OUT
, R
L
=
∞
民
2.4
—
—
—
—
—
—
90
99
典型值
—
185
—
140
—
170
12
92
99.9
最大
5.5
300
400
180
230
320
—
—
—
单位
V
µA
Ω
F
OSC
P
EFF
V
OUT
E
FF
千赫
%
%
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册，恕不另行通知，在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述，他们是不受专利侵权。
引脚说明
PIN号
8引脚DIP / SOIC符号说明
1
2
3
4
5
6
7
8
–
C
1
+
C
2
–
C
2
VIN
(+5V)
7
1
2
3
C1+
C1–
6
VIN
+
C1
–
V
OUT
GND
V
IN
+
C
1
N / C
输入。电容C1的负
终奌站。
输入。电容C2正
终奌站。
输入。电容C2的负
终奌站
输出。负输出电压
(– 2V
IN
)
输入。设备接地。
输入。电源电压。
输入。电容C1正
终奌站
无连接
TC682
+
C2
–
C2+
C2–
V OUT
GND
5
GND
4
C
+ OUT
–
RL
–
VOUT
全部大写= 3.3
µ
F
图1. TC682测试电路
4-22
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
