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TC850CLW 参数 Datasheet PDF下载

TC850CLW图片预览
型号: TC850CLW
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内容描述: 15 - BIT ,快速一体化的CMOS模拟数字转换器 [15-BIT, FAST-INTEGRATING CMOS ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER]
分类和应用: 转换器
文件页数/大小: 14 页 / 165 K
品牌: TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
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15 - BIT ,快速一体化的CMOS
模拟数字转换器
TC850
绝对最大额定值*
正电源电压(V
DD
到GND) ....................... + 6V
负电源电压(V
SS
到GND ) ..................... - 9V
模拟输入电压(IN
+
) ..................... V
DD
到V
SS
参考电压输入
( REF
1+
,楼盘
1–
,楼盘
2+
) .............................. V
DD
到V
SS
逻辑输入电压................ V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
目前进入任何引脚.............................................. ... 10毫安
同时经营................................................ 100μA
工作温度范围
C设备................................................ 0 ° C至+ 70°C
我的设备............................................. - 25 ° C至+ 85°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
封装功耗(T
A
70°C)
CERDIP ................................................. ............. 2.29W
塑料DIP ................................................ ........ 1.23W
塑料PLCC ................................................ .... 1.23W
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
电气特性:
V
S
=
±5V,
f
CLK
= 61.44千赫,V
FS
= 3.2768V ,T
A
= 25℃时,图1测试电路,
除非另有规定ED 。
符号参数
零刻度误差
端点线性误差
微分非线性
输入漏电流
测试条件
V
IN
= 0V
–V
FS
V
IN
+V
FS
V
IN
= 0V ,T
A
= 25°C
0°C
T
A
+70°C
– 25°
T
A
+85°C
在工作温度范围
V
IN
= 0V, V
CM
=
±1V
外部参考温度
系数= 0 PPM /°C的
0°C
T
A
+70°C
V
IN
= 0V
0°C
T
A
+70°C
V
IN
=
±3.275V
不超过95 %的时间
V
SS
+ 1.5
3.5
3.5
典型值
±0.25
±1
±0.1
30
1.1
80
2
0.3
0.5
30
2
2
4.9
0.15
0.1
2.3
2.1
4
14
140
1
15
230
190
250
210
140
最大
±0.5
±2
±0.5
75
3
V
DD
– 1.5
5
2
2
3.5
3.5
0.4
1
1
450
450
450
450
300
单位
最低位
最低位
最低位
pA
nA
V
dB
PPM /°C的
μV/°C
最低位
µV
P-P
mA
mA
V
V
µA
V
V
µA
µA
µA
pF
pF
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
I
IN
V
CMR
CMRR
共模电压范围
共模抑制比
满量程增益温度
系数
零刻度误差
温度COEF网络cient
满量程幅度
对称度误差
输入噪声
正电源电流
负电源电流
输出高电压
输出低电压
输出漏电流
输入高电压
输入低电压
输入上拉电流
输入下拉电流
振荡器的输出电流
输入电容
输出电容
芯片使能存取时间
读使能存取时间
数据保持从CS或CE
从RD数据保持
OVR / POL数据访问时间
e
N
I
S +
I
S –
V
OH
V
OL
I
OP
V
IH
IL
I
PU
I
PD
I
OSC
C
IN
C
OUT
t
CE
t
RE
t
DHC
t
DHR
t
OP
3-78
I
O
= 500
µA
I
O
= 1.6毫安
引脚8 - 15 ,高阻抗状态
注3
注3
引脚2 ,3,4 ,6,7 ; V
IN
= 0V
引脚1,5 ; V
IN
= 5V
引脚18 ,V
OUT
= 2.5V
引脚1 - 7 , 17
引脚8 - 15 ,高阻抗状态
CS或CE , RD = LOW (注1 )
CS = HIGH , CE =低(注1 )
RD = LOW (注1 )
CS = HIGH , CE =低(注1 )
CS = HIGH , CE =低, RD = LOW (注1 )
TELCOM半导体,INC。的