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BZT55C43 参数 Datasheet PDF下载

BZT55C43图片预览
型号: BZT55C43
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内容描述: 硅外延平面的Z-二极管 [Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes]
分类和应用: 二极管测试
文件页数/大小: 6 页 / 82 K
品牌: TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
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得力风根半导体
BZT55C...
1000
D
V - 电压变化(MV )
Z
典型特征
(T
j
= 25 ° C除非另有说明)
600
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
T
j
= 25°C
100
I
Z
=5mA
10
1
40
80
120
160
200
95 9598
0
5
10
15
20
25
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
Z
- z - 电压(V)
图1 :总功率耗散与环境温度
图2 :工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
=25°C
TK
VZ
- 温度V系数
Z
( 10
–4
/K )
15
1.3
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
–4
/K
10
1.1
4
2
5
I
Z
=5mA
0
1.0
0.9
0.8
–60
0
–2 10
–4
/K
–4
10
–4
/K
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压(V)
0
60
120
180
240
95 9599
T
j
- 结温(
°C
)
95 9600
图3 :工作电压的典型变化与结
温度
图4: Vz的温度系数相对于Z-电压
200
C
D
- 二极管电容(pF )
I
F
- 正向电流(mA )
100
150
V
R
= 2V
100
T
j
= 25°C
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0.01
0.001
50
0
0
95 9601
5
10
15
20
25
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
Z
- z - 电压(V)
图5 :二极管电容与Z-电压
V
F
- 正向电压( V)
图6 :正向电流与正向电压
修订版A1 : 1994年12月12日
3