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BZT55C8V2 参数 Datasheet PDF下载

BZT55C8V2图片预览
型号: BZT55C8V2
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内容描述: 硅外延平面的Z-二极管 [Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小: 6 页 / 82 K
品牌: TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
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得力风根半导体
BZT55C...
硅外延平面的Z-二极管
特点
D
非常尖锐的反向特性
D
低反向电流水平
D
非常高的稳定性
D
低噪音
D
可以用更严格的公差
应用
电压稳定
94 9373
绝对最大额定值
T
j
= 25_C
参数
功耗
Z-电流
结温
存储温度范围
测试条件
R
thJA
x300K/W
TYPE
符号
P
V
I
Z
T
j
T
英镑
价值
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
单位
mW
mA
°C
°C
最大热阻
T
j
= 25_C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
特征
T
j
= 25_C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=200mA
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1.5
单位
V
修订版A1 : 1994年12月12日
1