DG213
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-会被夹住
通过内部二极管。限正向二极管电流最大
电流额定值。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
Ç 。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
ð 。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
= 14 V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
V–
45
1
"0.01
"0.01
"0.02
V+
60
85
2
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
V
W
ð后缀
-40到85°C
符号
V+
V = 15 V, V– = –15 V
VV
15
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
0.8
1
mA
pF
V
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
t
D
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 2 V
见图2
S网络
V
S
= 10 V ，见图3
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V F = 1兆赫
V,
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
W
p ,
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
kH
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
20
85
55
25
1
5
5
16
90
95
dB
pF
pC
130
100
ns
2
Siliconix公司
S- 56461 -REV 。 C， 29日-12月97
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
