DG300A/301A/302A/303A
特定网络阳离子
a
条件除非其他 -
明智的指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
S
=
"14
V V
D
=
#14
V
V,
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= -10毫安
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
30
"0.1
"0.1
"0.1
–1
–100
–1
–100
–1
–100
–15
15
50
75
1
100
1
100
1
100
–5
–100
–5
–100
–5
–100
–15
15
50
75
5
100
5
100
5
100
nA
V
W
后缀
-55到125°C
B / C后缀
符号
V = 15 V, V– = –15 V
VV
15
V+
V
IN
= 0.8 V或V
IN
= 4 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
数字控制
输入电流
p
输入V升
I
电压嗨ħ
高
输入电流
输入电压低
V
IN
= 5 V
I
INH
V
IN
= 15 V
I
INL
V
IN
= 0 V
房间
满
房间
满
房间
满
–0.001
0.001
–0.001
–1
–1
–1
–1
1
1
–1
–1
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
输入电容
关断隔离
串扰（通道 - 通道）
t
ON
t
关闭
t
开放
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
C
in
OIRR
X
TALK
F = 1 MHz的
V
IN
= 0 V
V
IN
= 15 V
V
S
, V
D
= 0 V ， F = 1兆赫
见图2
DG301A / 303A仅
科幻gure 3
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
W
V
根
= 0V ，图4
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
150
130
50
8
14
14
40
6
7
62
74
dB
pF
pC
300
250
ns
V
IN
= 0 V ，R
L
= 1千瓦
,
V
S
= 1 V
RMS
， F = 500千赫
kH
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I+
I–
I+
V
IN
= 0.8 V（所有输入）
08
I–
V
IN
= 4 V（一个输入）
(
p )
所有的O H = 0 V
OTHERS
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.23
–0.001
0.001
–0.001
–10
–100
–10
–100
10
100
–100
0.5
1
–100
100
mA
1
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ë 。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97
5
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
