DG417/418/419
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 20
W
快速开关动作-T
ON
： 100纳秒
超低功耗的要求-P
D
： 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
MINIDIP和SOIC封装
44 V电源的最大额定值
好处
D
宽动态范围
D
低信号误差和失真
D
突破前先
开关动作
D
简单接口
D
减少电路板空间
D
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制
系统
D
硬盘驱动器
描述
该DG417 /四百一十九分之四百十八单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸，该
DG417系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
的性能， DG417系列是建立在Siliconix公司的高
电压硅栅（ HVSG ）的过程。突破前先为
保证在DG419 ，它是一个单刀双掷配置。
外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向
当上，并阻止到电源电平，当
关。
该DG417和DG418应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417
双列直插式和SOIC
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V–
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
DG417
ON
关闭
DG418
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419
双列直插式和SOIC
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
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8
7
6
5
S
2
V–
IN
V
L
真值表- DG419
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D， 28 -APR- 97
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TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
