DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG185
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+
V = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
VV
15 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.3
–0.03
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
V
W
SOURCE OFF
泄漏ç
L·K
当前
nA
流掉
泄漏ç
L·K
当前
通道上
漏电流
–2
–200
–10
–200
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
100
9
6
14
>50
dB
pF
130
150
120
250
300
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
租金
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5.5
4.5
–2
3
–5.5
4.5
mA
3
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ë 。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
5
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
