TSC80C31/80C51
绝对最大额定值*
环境温度下偏置：
C =商用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I =工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
电压VCC和VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7 V
电压的任何引脚到VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至VCC + 0.5 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W **
**这个值是基于最大允许管芯温度和
封装的热阻
*注意
应力达到或超出上述“绝对最大额定值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响
器件的可靠性。
DC特性：低功耗版本
TA = 0 ° C至70 °C， VCC = 2.7 V至5.5 V ; VSS = 0 V ; F = 0至20兆赫
TA = -40 ° C至85°C ; VCC = 2.7 V至5.5 V ; F = 0至20兆赫
符号
VIL
VIH
VIH2
VIH1
VPD
VOL
VOL1
VOH
VOH1
IIL
ILI
ITL
IPD
RRST
CIO
输入低电压
输入高电压（除XTAL和RST ）
输入高电压RST复位
输入高电压XTAL1
掉电电压至Vcc在PD模式
输出低电压（端口1 ，2，3 ）， （4）
输出低电压端口0 ， ALE ， PSEN （ 4 ）
输出高电压（港口1 ， 2和3 ）
输出高电压（端口0在外部总线模式） ，
ALE ， PSEN
逻辑0输入电流端口1 ， 2 ， 3
输入漏电流
逻辑1到0的跳变电流（端口1 ， 2 ， 3 ）
掉电电流
RST下拉电阻
I / O缓冲区的容量
50
5
90
0.9 VCC
0.9 VCC
– 50
±
10
– 650
30
200
10
参数
民
– 0.5
0.2 V
CC
+ 0.9
0.7 V
CC
0.7 V
CC
2.0
典型值（ 3 ）
最大
0.2 V
CC
– 0.1
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
5.5
0.45
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
kΩ
pF
测试条件
IOL = 0.8 MA（ 2 ）
IOL = 1.6 MA（ 2 ）
IOH = - 10
µA
IOH = - 40
µA
VIN = 0.45 V
0.45 < <输入电压V
CC
VIN = 2.0 V
V
CC
= 2.0 V至5.5 V
(1)
FC = 1 MHz时，T
A
= 25_C
ICC （MA ）
工作（ 1 ）
频率/ VCC
最大
1兆赫
6兆赫
12兆赫
16兆赫
0.8
4
8
10
2.7 V
典型值
0.37
2.2
4
5
最大
1
5
10
12
3V
典型值
0.42
2.5
4.7
5.8
最大
1.1
6
12
14
3.3 V
典型值
0.46
2.7
5.3
6.6
最大
0.4
1.5
2.5
3
2.7 V
典型值
0.22
1.2
1.7
1.9
最大
0.5
1.7
3
3.8
空闲（1）
3V
典型值
0.24
1.4
2.2
2.5
最大
0.6
2
3.5
4.5
3.3 V
典型值
0.27
1.6
2.6
3
频率>为12MHz （VCC = 5.5V）
ICC OP最大（MA ） = 0.9
×
频率（MHz ） + 5
ICC空闲最大（MA ） = 0.3
×
频率（MHz ） + 1.7
12
MATRA MHS
版本E（ 14 Jan.97 ）
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
