ND2012L/2020L
N沟道耗尽型MOSFET晶体管
产品概述
产品型号
ND2012L
ND2020L
V
（ BR ） DSV
敏（ V）
200
r
DS （ ON）
最大值（W）的
12
20
V
GS （ OFF ）
(V)
-1.5 〜-4
-0.5到-2.5
I
D
(A)
0.16
0.132
特点
D
D
D
D
D
高击穿电压： 220 V
通常情况下“开”低R
DS
开关： 9
W
低输入和输出泄漏
低功耗驱动要求
低输入电容
好处
D
D
D
D
D
全电压运行
低失调电压
低电压错误
轻松驱动无缓冲器
高速开关
应用
D
D
D
D
D
通常情况下“开”开关电路
电流源/限幅器
电源供应器，转换器电路
固态继电器
电信交换机
TO-226AA
(TO-92)
S
1
G
2
D
3
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
漏电流脉冲
a
功耗
最大结点到环境
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70197 。
应用程序的信息，也可以通过FaxBack获得，请求文件＃ 70612 。
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
ND2012L
200
"30
0.16
0.1
0.8
0.8
0.32
156
ND2020L
200
"30
0.132
0.083
0.8
0.8
0.32
156
单位
V
A
W
° C / W
_C
-55到150
Siliconix公司
S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97
1
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
