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SUP65P06-20 参数 Datasheet PDF下载

SUP65P06-20图片预览
型号: SUP65P06-20
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内容描述: P沟道增强型晶体管 [P-Channel Enhancement-Mode Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 60 K
品牌: TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
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SUP/SUB65P06-20
P沟道增强型晶体管
产品概述
V
( BR ) DSS
(V)
–60
TO 220AB
到263
G
的漏极连接到选项卡
摹ð S
顶视图
SUB65P06 20
D
P沟道MOSFET
r
DS ( ON)
(W)
0.020
I
D
(A)
–65
a
S
GD S
顶视图
SUP65P06 20
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C ( TO- 220AB和TO -263 )
T
A
= 125_C ( TO-263 )
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
–65
a
–39
–200
–60
180
187
d
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装( TO- 263 )
c
结到环境
结到环境
自由空气( TO- 220AB )
结到外壳
注意事项:
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
Ç 。当安装在1 “方形板( FR-4材料) 。
ð 。看到SOA曲线电压降额。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70289 。
Spice模型数据表可说明此产品( FaxBack文档# 70543 ) 。
R
thJA
R
thJC
62.5
0.8
符号
R
thJA
极限
40
单位
° C / W
Siliconix公司
P- 39628 -REV 。 A, 28日-12月94
1