SUP/SUB75N06-08
N沟道增强型晶体管
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
TO-220AB
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
摹ð S
顶视图
SUB75N06-08
S
N沟道MOSFET
r
DS （ ON）
(W)
0.008
I
D
(A)
75
a
D
摹ð S
顶视图
SUP75N06-08
绝对最大额定值（
T
C
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
功耗
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
"20
75
a
55
240
60
280
187
c
3.7
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
结到环境
自由空气（ TO- 220AB ）
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
Ç 。看到SOA曲线电压降额。
ð 。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70283 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70527 ） 。
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.8
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 47969 -REV 。 D， 08 -JUL- 96
1
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
