TS80C32X2
TS87C52X2
TS80C52X2
表3.引脚说明了40/44引脚封装
助记符
V
SS
Vss1
V
CC
P0.0-P0.7
引脚数
DIL
20
LCC
22
1
44
43-36
VQFP 1.4
16
39
38
37-30
TYPE
I
I
I
I / O
名称和功能
地面：
0V参考
选购地：
联系销售网络CE的接地连接。
电源：
这是在电源电压为正常，空闲和加电
向下运行
端口0 ：
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒
写入到其中的FL燕麦和可用作高阻抗inputs.Port 0引脚必须
为了防止任何寄生电流消耗被极化至Vcc或Vss 。
P0口也访问期间复低位地址和数据总线
外部程序和数据存储器。在这种应用中，它使用强大的内部
发射1秒，当拉。 P0口还可输入EPROM中的代码字节
编程。期间，在程序VERI网络阳离子，需要外部上拉电阻
其中P0输出代码字节。
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。端口1
有写信给他们1秒引脚拉高由内部上拉电阻和
可以被用作输入。作为输入，端口1引脚是外部拉低时将
因为内部上拉电阻的电流。端口1还接收低阶
在存储器编程和VERI网络阳离子地址字节。
复用功能的端口1包括：
T2 （ P1.0 ） ：
定时器/计数器2的外部计数输入/时钟输出
T2EX （ P1.1 ） ：
定时器/计数器2重载/捕获/方向控制
端口2 ：
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。端口2
有写信给他们1秒引脚拉高由内部上拉电阻和
可以被用作输入。作为输入使用时， P2口是外部拉低时将
因为内部上拉电阻的电流。端口2发出的高位地址
在从外部程序存储器取，并在外部访问字节
使用16位地址（ MOVX @ DPTR ）。在此应用程序数据存储器，它
使用强大的内部上拉发送1 。在外部数据存储器访问
即使用8位地址（ MOVX @Ri ），端口2发出的P2 SFR中的内容。
有些P2口在EPROM编程接收高位地址
和VERI科幻阳离子： P2.0到P2.4
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。端口3
有写信给他们1秒引脚拉高由内部上拉电阻和
可以被用作输入。作为输入使用时， P3口是外部拉低时将
因为内部上拉电阻的电流。端口3还提供了特殊的
80C51系列的特性，具体如下。
RXD（ P3.0 ） ：
串行输入端口
的TxD （ P3.1 ） ：
串行输出端口
INT0 （ P3.2 ） ：
外部中断0
INT1 （ P3.3 ） ：
外部中断1
T0 （ P3.4 ） ：
定时器0外部输入
T1 （ P3.5 ） ：
定时器1外部输入
WR （ P3.6 ） ：
外部数据存储器写选通
RD （ P3.7 ） ：
外部数据存储器读选通
RESET ：
在这个引脚上的两个机器周期振荡器运行时，
重置设备。内部扩散电阻到V
SS
允许一个上电复位
仅使用一个外部电容与V
CC.
40
39-32
P1.0-P1.7
1-8
2-9
40-44
1-3
I / O
1
P2.0-P2.7
2
21-28
2
3
24-31
40
41
18-25
I / O
I
I / O
P3.0-P3.7
10-17
11,
13-19
5,
7-13
I / O
10
11
12
13
14
15
16
17
RESET
9
11
13
14
15
16
17
18
19
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
I
O
I
I
I
I
O
O
I
5
版本C - 1999年8月31日
初步
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
