TSC80C31/80C51
绝对最大额定值*
环境温度下偏置：
M =军事。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
电压VCC和VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7 V
电压的任何引脚到VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至VCC + 0.5 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W **
**这个值是基于最大允许管芯温度和
封装的热阻
*注意
应力达到或超出上述“绝对最大额定值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响
器件的可靠性。
DC参数
TA = -55 °C至+ 125°C ; VSS = 0 V ; VCC = 5 V
±
10％ ; F = 0至40兆赫
符号
VIL
VIH
VIH1
VOL
VOL1
VOH
输入低电压
输入高电压（除XTAL和RST ）
输入高电压（ XTAL和RST ）
输出低电压（端口1 ， 2和3） （4）
输出低电压（端口0 ， ALE ， PSEN ） （ 4 ）
输出高电压（港口1 ， 2和3 ）
2.4
0.75的Vcc
0.9 VCC
VOH1
输出高电压
（端口0的外部总线模式下， ALE ， PEN ）
2.4
0.75的Vcc
0.9 VCC
IIL
ILI
ITL
IPD
RRST
CIO
ICC
逻辑0输入电流（端口1,2和3）
输入漏电流
逻辑1到0的跳变电流（端口1 ， 2和3 ）
掉电电流
RST下拉电阻
I / O缓冲区的容量
电源电流
频率为1 MHz的电流Icc运
ICC闲置
频率= 6 MHz的电流Icc运
ICC闲置
频率
≥
12 MHz的电流Icc运最大值= 0.9频率（MHz ） + 5
ICC闲置最大值= 0.3频率（MHz ） + 1.7
频率
≤
20 MHz的电流Icc典型OP = 0.7频率（MHz ）
频率
≥
20 MHz的电流Icc典型OP = 0.5频率（MHz ） + 4
频率
≤
20 MHz的电流Icc典型空闲= 0.16频率（MHz ） + 0.4
频率
≥
20 MHz的电流Icc典型空闲= 0.12频率（MHz ） + 1.2
0.7
0.5
4.2
1.4
50
5
90
– 75
+/– 10
– 750
75
200
10
1.8
1
9
3.5
参数
民
– 0.5
0.2 VCC + 0.9
0.7 VCC
典型值（ 3 ）
最大
0.2为VCC - 0.1
VCC + 0.5
VCC + 0.5
0.45
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
KΩ
pF
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
IOL = 1.6 MA（ 2 ）
IOL = 3.2 MA（ 2 ）
IOH = - 60
µA
VCC = 5 V
±
10 %
IOH = - 25
µA
IOH = - 10
µA
IOH = - 400
µA
VCC = 5 V
±
10 %
IOH = - 150
µA
IOH = - 40
µA
VIN = 0.45 V
0.45 <输入电压Vcc的<
VIN = 2.0 V
VCC = 2.0 V至5.5 V （ 1 ）
FC = 1 MHz时，TA = 25_C
VCC = 5.5 V
MATRA MHS
版本E（ 14 Jan.97 ）
11
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
