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     1.0 A, 40 V, Schottky Barrier Diode
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    GCM1885G1H3R9CA16#

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     P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2.4A，52mΩ
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    NTP125N65S3H

     Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mΩ, TO-220
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    GRM0115C1C100GE01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM188C81E474KA12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    ISC010N04NM6

     凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
    电池栅驱动栅极
    0 INFINEON

    BBL4001-1E

     N 沟道，功率 MOSFET，60V，74A，6.1mΩ
    暂无信息
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