71M6521DE/71M6521FE
电能计量IC
数据表
2008年1月
端口寄存器：
在I / O端口是由特殊功能寄存器
P0, P1,
和
P2.
在SFR的内容可以是
上对应管脚的芯片上观察到。写“1”到任何端口（见表11 ）会导致相应的引脚为
处于高电平（ V3P3 ） ，并写入“0”使对应引脚的低电平（GND）的保持。数据方向寄存器
DIR0 ， DIR1 ，
和
DIR2
定义各个引脚为输入或输出引脚（见数字I / O的详细信息） 。
注册
P0
DIR0
P1
DIR1
P2
DIR2
SFR
地址
0x80
0xA2
0x90
0x91
0xA0
0xA1
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
描述
注册端口0的读取和写入操作（销DIO4 ... DIO7 ）
数据方向寄存器端口0位设置为1表示对应的引脚
的输出。
注册端口1的读取和写入操作（销DIO8 ... DIO11 ， DIO14 ， DIO15 ）
数据方向寄存器端口1 。
注册端口2的读取和写入操作（销DIO16 ... DIO17 ， DIO19 ... DIO21 ）
数据方向寄存器端口2 。
表11 ：端口寄存器
在芯片上所有的DIO端口都是双向的。他们每个人的由一个锁存器（ SFR ' P 0 '到' P2' ） ，一个输出驱动器和输入的
通过所有这些端口缓冲器，因此MPU可输出或读取数据。即使一个DIO引脚被配置为输出，则
该引脚的状态，仍然可以由MPU计算通过DIO引脚发出的脉冲下阅读时，例如
CE控制。
基于配置为输出DIO引脚读取的状态或产生中断的技术中，可以
用于实现脉冲计数。
特殊功能寄存器具体到71M6521DE / FE
注册
抹去
另类
名字
FLSH_ERASE
SFR
地址
0x94
读/写
W
描述
该寄存器用于启动或者闪存整体擦除周期或
闪存页擦除周期。特定的模式，预计为
FLSH_ERASE
为了启动相应的擦除周期（默认值=
0x00).
将0x55 - 启动闪存页擦除周期。前面必须有一个写
to
FLSH_PGADR
@ SFR 0xB7 。
和0xAA - 启动闪存整体擦除周期。前面必须有一个写
to
FLSH_MEEN
@ SFR 0xB2和调试端口必须是
启用。
写入FLSH_ERASE任何其他图案将没有任何效果。
PGADDR
FLSH_PGADR
0xB7
读/写
包含闪存页面的Flash页擦除地址寄存器
地址（第0页直通127 ），将在页擦除过程中被删除
周期（默认值为0×00） 。
必须重新编写为每个新页擦除周期。
I
2
Ç EEPROM接口数据寄存器
2
I C EEPROM接口控制寄存器。如果MPU希望写一
数据EEPROM的字节，它把数据
EEDATA
进而
在“发送”代码写入
EECTRL 。
在写
EECTRL
启动
发送序列。看到了EEPROM的接口部分
可用的命令和状态位说明
EECTRL 。
EEDATA
EECTRL
0x9E
0x9F
读/写
读/写
v1.0
©2005-2008 Teridian半导体公司
页数： 21 101
TERIDIAN [ TERIDIAN SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
