71M6521DE/71M6521FE
电能计量IC
数据表
2008年1月
推荐的外部元件
功能
价值
单位
旁路电容为3.3V电源
≥0.1±20%
μF
旁路电容为3.3V输出
0.1±20%
μF
旁路电容V3P3SYS
≥1.0±30%
μF
旁路电容V2P5
0.1±20%
μF
32.768kHz晶体 - 电类似于ECS
XTAL
.327-12.5-17X或威世XT26T ，负载电容
32.768
千赫
XIN
XOUT
tance 12.5pF的
†
负载电容的晶振（具体数值取决于
CXS
pF
XIN
AGND
27±10%
晶体规格和寄生电容
pF
CXL
†
XOUT
AGND
27±10%
董事会tance ） 。
†
根据扫描电容，必须用于CXS和CXL更高或更低的值。从XIN电容GNDD
和XOUT到GNDD （销相结合，走线和液晶电容）应35pF至37pF 。
名字
C1
C2
坐标系
C2P5
从
V3P3A
V3P3D
V3P3SYS
V2P5
TO
AGND
DGND
DGND
DGND
推荐工作条件
参数
3.3V电源电压（ V3P3SYS ，
V3P3A)
V3P3A和V3P3SYS必须在
相同的电压
VBAT
工作温度
在DIO / SEG引脚的最大输入电压
配置为DIO输入。 *
条件
正常工作
备用电池
无电池
备用电池
BRN和LCD模式
睡眠模式
民
3.0
0
典型值
3.3
最大
3.6
3.6
单位
V
V
从外部连接到V3P3SYS
3.0
2.0
-40
3.8
3.8
+85
V3P3SYS+0.3
VBAT+0.3
VBAT+0.3
V
V
ºC
V
V
V
任务模式
掉电模式
LCD模式
*超过此限制会扭曲对其他引脚的LCD波形。
v1.0
©2005-2008 Teridian半导体公司
页数： 87 101
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