71M6521DE/71M6521FE
电能计量IC
数据表
2008年1月
时序特定网络阳离子
RAM和闪存
参数
CE DRAM等待状态
条件
CKMPU = 4.9MHz
CKMPU = 1.25MHz的
CKMPU = 614kHz
V3P3A=V3P3SYS=0
掉电模式
-40 ° C至+ 85°C
25°C
85°C
民
5
2
1
30
20,000
100
10
2
典型值
最大
单位
周期
周期
周期
ns
周期
岁月
岁月
周期
闪存读取脉冲宽度
闪存的写入周期
闪存数据保留
闪存数据保留
页面或质量之间的Flash字节写入
擦除操作
快闪记忆体时序
参数
写每字节的时间
页擦除（ 512字节）
整体擦除
100
条件
民
典型值
最大
42
20
200
单位
µs
ms
ms
EEPROM接口
参数
写时钟频率（
我知道了
)
写时钟频率（ 3线）
2
条件
CKMPU = 4.9MHz ，采用
中断
CKMPU = 4.9MHz ， “比特
砰砰“ DIO4 / 5
CKMPU=4.9MHz
民
典型值
78
150
500
最大
单位
千赫
千赫
千赫
RESET和V1
参数
复位脉冲下降时间
复位脉冲宽度
V1响应时间
RTC
参数
范围日期
条件
民
2000
典型值
-
最大
2255
单位
YEAR
条件
民
5
10
典型值
最大
1
100
单位
µs
µs
µs
+ 100mV的过载
37
脚注
1
2
该规范是保障，在制作样品得到了验证，但不生产测量。
该规范是保障，在制作样品得到了验证，但只在DC测量的生产。
3
该规范是在规定的工作温度范围测量生产。
4
这个规范定义的标称关系，而不是一个测得的参数。正确的电路操作与验证
使用这种名义上的关系作为参照其他规格。
页数： 92 101
©2005-2008 Teridian半导体公司
v1.0
TERIDIAN [ TERIDIAN SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
