FDS 6532分之6531 005
数据表71M6531D / F- 71M6532D /女
3.3
温度测量
的绝对温度测量使用片上温度传感器和施加在下
公式：
T
=
(
N
(
T
)
−
N
n
)
+
T
n
S
n
在上式中，
T
在℃的温度，
N（ T）
是ADC计数，温度T ，
N
n
是ADC
在25 ℃的算，
S
n
在灵敏度LSB /°C，如在电气规格和说明
T
n
为+25 ℃。
所以建议温度测量的基础上
TEMP_RAW_X
这是两个的总和
连续的温度读数，因此是由两比原始传感器读数的系数更高。
3.4
3.4.1
温度补偿
温度系数：
在设备制造，内部参考电压VREF进行校准。
的温度系数TC 2给出作为表示典型组件行为的恒定（在
μV/°C
2
） 。 TC1 （μV/ ℃）可以计算为从所述内容的单独的芯片
TRIMT [7 ：0]的
I / O
RAM寄存器。 TC1和TC2允许补偿的基准电压的变化在± 40
PPM / ℃。
由于TC1和TC2以μV / ° C和μV/°C ，给出
2
，参考电压VREF的分别，值
（ 1.195V ）具有过渡到PPM / ℃， PPM / ℃，当要考虑的
2
。这意味着
这PPMC = 26.84 * TC1 / 1.195和PPMC2 = 1374 * TC2 / 1.195 ） 。
3.4.2
温度补偿VREF
带隙的温度被用来进行数字补偿的功率输出的温度依赖新生
置信VREF ，采用CE注册
GAIN_ADJ 。
由于带隙放大器通过斩波稳定
该
CHOP_E
位，在所述基准电压的最显著长期漂移机制被去除。
下面的公式用于确定所述
gain_adj
行政长官的价值。在该式中，
TEMP_X
为
从标称或校准温度偏差在0.1°C的倍数表示：
温度
_
X
⋅
PPMC TEMP
_
X
2
⋅
PPMC
2
收益
_
ADJ
=
16385
+
+
14
2
2
23
3.4.3
系统温度补偿
在生产电表中， 71M6531或71M6532D / F是不唯一的成分有助于
温度依赖性。一整个系列的部件（如电流互感器，电阻分压器，
电源，滤波电容），将有利于温度的影响。
由于片上温度传感器的输出是可访问的MPU，温度补偿
具有很大的灵活性的机制是可能的。 MPU访问
gain_adj
允许一个系统范围内的temper-
ATURE校正在整个米，而不是本地的芯片。
3.4.4
温度补偿实时时钟
为了获得从RTC精确的读数，下面的过程，建议：
1.在电表校准的时间内，晶体振荡器，使用经过校准的
RTC_ADJ
在我注册/ O
RAM是接近32768赫兹越好。建议的步骤是连接一个高
精度频率计的TMUXOUT PIN码并选择为0x11的
TMUX [4：0 ] 。
这将产生
一个4秒的脉冲在TMUXOUT可用于修剪
RTC_ADJ
以最好的价值。
2.当仪表处于服务中，MPU需要频繁的温度读数。如果温度CHA-
晶体的racteristics是已知的，温度读数可以用来修改设置为
在I / O RAM寄存器
PREG [16 ：0]的
和
QREG [1 ：0]的
为了保持晶体频率接近
32768赫兹。
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