DS_1210F_001
表3 ：闪存特殊功能寄存器
注册
抹去
SFR
地址
0x94
读/写
W
描述
73S1210F数据表
该寄存器用于启动或者闪存整体擦除周期或
闪存页擦除周期。具体模式是在预期ERASE
为了启动相应的擦除周期（默认值为0×00） 。
将0x55 - 启动闪存页擦除周期。必须通过写来进行
以PGADDR @ SFR 0xB7 。
和0xAA - 启动闪存整体擦除周期。必须通过写来进行
以FLSH_MEEN @ SFR 0xB2和调试端口必须是
启用。
写到清除任何其他的模式不会有任何效果。
PGADDR
0xB7
读/写
包含闪存页面的Flash页擦除地址寄存器
地址（第0到127 ），将在页擦除过程中被删除
周期（默认值为0×00） 。注：该网页的地址左移1位
（参见上面的详细描述） 。
必须重新编写为每个新页擦除周期。
位0 （ FLSH_PWE ） ：程序写使能：
0 = MOVX指令是指XRAM空间，正常运行（默认） 。
1 = MOVX @ DPTR ，A移动A到程序空间（闪存）， @ DPTR 。
该位被写入闪存的每个字节后自动复位。写到
当中断被允许该位被禁止。
FLSHCTL
0xB2
读/写
W
第1位（ FLSH_MEEN ） ：整体擦除启用：
0 =整体擦除禁用（默认） 。
1 =整体擦除功能。
必须重新编写每个新的块擦除周期。
读/写
第6位（安全） ：
使安全规定，以防止闪存外部读取
内存和CE程序RAM 。该位复位芯片复位，可
仅被设置。尝试写零被忽略。
内部数据存储器：
内部数据存储提供数据存储的256字节（ 0x00到0xFF的） 。
内部数据存储器的地址总是一个字节宽，并且可以通过直接或访问
间接寻址。特殊功能寄存器占用高128字节。
这SFR区
只能通过直接寻址可用。间接寻址访问高128字节的内部
内存。
低128字节包含工作寄存器和位寻址存储器。低32字节的形式
四家银行8个寄存器（ R0 - R7 ） 。二位对程序存储器状态字（ PSW）选择哪个
银行正在使用中。接下来的16个字节组成的可位寻址的内存空间位地址块0x00-
0x7F的。所有的低128个字节的字节是通过直接或间接寻址访问。
示出内部数据的存储器映射。
修订版1.4
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