73S1217F数据表
DS_1217F_002
修订历史
调整
1.0
1.1
日期
5/15/2007
11/7/2007
描述
首次出版。
On
改变子弹的“ISO- 7816 UART 9600至115kbps的速率进行
协议T = 0， T = 1“至”的ISO -7816的UART传输协议T = 0，T = 1“。
In
表1
删除NC ， 44引脚排。
In
变化的描述，除去开机前和32周
引用。
In
换了第二个项目符号“零页快闪记忆体中，
对于用户的预引导代码优选位置，未必是页擦除由
无论是MPT或冰。零页只可擦除全球闪存擦除。
需要注意的是全球闪存擦除擦除XRAM是否SECURE位被置位
或没有。 “到”页面零闪速存储器的可能不被页擦除由任
MPU或冰。零页只可擦除全球闪存擦除。记
全球闪存擦除擦除XRAM是否SECURE位被置位或
不是。 “
In
变“ Mcount配置在MCLKCtl寄存器
必须为1的值之间的约束来7.可以晶体或外部
时钟示于表12中“向” Mcount被配置在MCLKCtl
寄存器必须为1的值之间的约束来7.可能晶体或
外部时钟频率，用于获取MCLK = 96MHz的示于表
11.”
In
补充说：“根据不同的ON / OFF电路的状态
和施加到VBUS输入功率， 73S1217F将进入任一
待机模式或电源“OFF”模式。如果系统的功率是通过提供
VBUS或接通/断开电路处于“开”的状态时，MPU核心将
置于待机模式“。
在
说明，改变了“如果BSEL = 1 ，波特率导出
使用定时器1 “到”如果BSEL = 0 ，波特率使用定时器衍生1. “
In
除去从仿真器端口以下
说明： “模拟器端口的信号具有弱上拉。添加
电阻脚印的信号E_RST ， E_TCLK和E_RXTX在PCB是
推荐使用。如果上E_TCLK必要，添加10KΩ上拉电阻
和E_RXTX和E_RST一个3KΩ将有助于模拟器操作
一般来说，如果出现问题“ 。
In
子弹7增加230000波特率选择。
在
说明，补充说：“ VDDFLT位（如果使能）将提供
内部智能卡插槽中的一个紧急失活。见
部分以了解详情。 “
的改变最后一句
从“ TS位描述解码
FIFO之前和被存储在接收FIFO中， “至” TS的解码
之前被存储在接收FIFO 。 “
1.2
12/16/2008
In
去除含铅部件号。
In
增加了更多的描述到VCC ， VPC ， VDD ， SCL ， SDA ，
美国证券交易委员会，测试和PRES引脚。
In
改变“ FLSH_ERASE ” “抹掉”，并
“ FLSH_PGADR ”到“ PGADDR ” 。补充说：“ PGADDR寄存器表示
网页地址页擦除。页大小为512（ 200小时）的字节和
有快闪存储器内的128页。该PGADDR表示
上快闪存储器地址这样的7比特位7：1的
PGADDR对应于位15：9的闪速存储器地址。位0
该PGADDR不使用，将被忽略。 “在的说明
138
修订版1.2
TERIDIAN [ TERIDIAN SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
