78M6618-IM 参数 Datasheet PDF下载

型号：	78M6618-IM
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内容描述：	八通道功率和电能测量IC [Octal Power and Energy Measurement IC]
分类和应用：
文件页数/大小：	32 页 / 421 K
品牌：	TERIDIAN [ TERIDIAN SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

DS_6618_005

78M6618数据表

2.4.4电池监视器

表8 ：电池监测器性能指标（ BME = 1 ）

参数

负载电阻

[M40MHZ,

M26MHZ]

= [00] ，[10] ，或[11]中

[M40MHZ,

M26MHZ]

= [01]

FIR_LEN=0

(L=138)

FIR_LEN=1

(L=288)

FIR_LEN=0

(L=186)

FIR_LEN=1

(L=384)

条件

民

(-10%)

-200

典型值

-48.7

-5.35

-19.8

-2.26

最大

(+10%)

+100

单位

kΩ

µV

LSB值

偏移误差

2.4.5电源电流

表9 ：供电电流性能规格

参数

V3P3SYS电流（ CE关闭）

V3P3SYS电流（ CE上）

V3P3A电流

VBAT电流

V3P3SYS电流，

写闪存

VBAT电流

条件

正常运行时，

V3P3A = V3P3SYS = 3.3 V

CKMPU = 614千赫

没有闪存的写入

RTM_E = 0， ECK_DIS = 1，

ADC_E = 1， ICE_E = 0

正常操作如上述，除了

写Flash的最大速率，

CE_E

ADC_ ê

= 0

VBAT = 3.6 V

掉电模式

LCD模式， LCD DAC关闭

<25°C

过温

LCD模式， LCD DAC上

<25°C

过温

休眠模式，25°C

休眠模式时，超温

民

典型值

4.2

8.4

3.3

-400

9.1

最大

6.35

9.6

3.8

+400

单位

0.5

0.7

250

1.5

µA

2.4.6 V3P3D开关

表10 ： V3P3D交换机性能规范

参数

导通电阻 - V3P3SYS到V3P3D

导通电阻 - VBAT为V3P3D

条件

| I

V3P3D

≤

1毫安

| I

V3P3D

≤

1毫安

民

典型值

最大

单位

修订版1.4

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