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    78P2343JAT 参数 Datasheet PDF下载

    78P2343JAT图片预览
    型号： 78P2343JAT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3端口E3 / DS3 / STS - 1与抖动衰减刘 [3-port E3/DS3/STS-1 LIU with Jitter Attenuator]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 37 页 / 351 K
    品牌： TERIDIAN [ TERIDIAN SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号78P2343JAT的Datasheet PDF文件第10页  
    78P2343JAT
    3端口E3 / DS3 / STS-1 LIU
    与抖动衰减器
    弹性存储深度
    为了优化数据延迟和之间的折衷
    时钟漂移容限，则FIFO弹性存储深度
    可以通过串行端口通过写入选择
    抖动衰减器控制寄存器（ JACR ）为
    如下所示：
    ESP [1：0 ]
    位
    00
    01
    10
    11
    弹性存储深度
    通过模式
    16 UI
    32 UI
    64用户界面（默认）
    串行控制接口
    串口控制寄存器允许一个通用的
    控制器接口与78P2343JAT 。这是
    用于模式设置，诊断和测试，并
    的状态和性能信息的检索。
    串行接口由以下四个引脚：片选
    （CS） ，串行时钟（SCK ） ，串行数据输入（SDI） ，并
    串行数据输出（ SDO ） 。 CS引脚启动
    读取和写入操作。它也可以被用来
    选择一个特定的装置，可使SCK ， SDI和
    SDO将乘坐大巴一起。 SCK为时钟输入
    那个时代的SDI和SDO的数据。数据SDI是
    在SCK信号的上升沿和数据
    SDO是使用SCK的下降沿同步输出。
    SDI是用来插入模式，地址和寄存器
    数据到芯片中。地址和数据信息
    被输入至少显著位（LSB ）在前。
    SDO是三态输出能力。它是用来输出
    在读操作期间寄存器数据。 SDO输出
    通常是高阻抗，并且只启用
    的持续时间期间，当寄存器的数据被作为
    同步输出。
    读取数据同步输出至少
    显着的位（LSB ）网络第一个。
    如果SDI出来的微控制器芯片也
    三态能， SDI和SDO可以连接
    同时简化连接。
    最大时钟频率寄存器访问
    20MHz.
    注意：为了让设备在已知供电
    ，一些寄存器的默认值被设置它们的
    相应的引脚控制的电。
    弹性存储深度选择标称FIFO
    读指针地址。总的或最大的弹性
    存储器深度被设定为两倍深为标称
    指针地址。循环缓冲区的长度总是
    两次只要标称指针地址。
    掉电功能
    提供断电控制，以使
    收发信机被单独关断。发送和
    收到掉电可独立设置，通过
    在PDTX和PDRX位模式控制
    注册。浮各自LBOx引脚也
    设置PDTX为每个信道。串行控制
    接口和配置寄存器都没有
    受断电。
    内部上电复位
    该78P2343JAT包括片上电复位
    （ POR）功能，以确保在串行端口寄存器
    在上电时初始化为已知的默认状态。
    大约50微秒后的Vcc达到2.4V上电时，
    复位释放。该复位信号也将所有国家
    在刘名义运作中的机器
    状态。内部复位信号也带来了
    到PORB引脚。该引脚是一个多功能引脚
    允许以下内容：
    1 ）通过驱动中的覆盖内部上电复位信号
    外部低电平有效的复位信号;
    2 ）监控内部POR信号的状态（
    测试和调试只） ;
    3）添加外部电容器来延迟的释放
    内部上电复位信号，使
    MSL0针稳定释放复位前
    （每个会员协会约8μs添加）。
    该PORB销的内部电阻是
    约为5kΩ 。
    第37 6
    2005年Teridian半导体公司
    REV 2.2

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