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2N4403 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4403
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
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TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
2N4403
PNP外延平面晶体管
描述
该2N4403是专为通用开关和
放大器应用。
特点
补充2N4401 。
高功率耗散625mW ,在25℃
高直流电流增益: 100-300 150mA时
高击穿电压: 40V最小。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................... -55〜 + 150°C
结温................................................ ..................................... + 150 ° C最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5.0 V
IC集电极电流........................................................................................................ 600毫安
CHARACTERISTICS(Ta=25
°C
)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEX
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
分钟。
40
40
5.0
-
-
-
750
-
30
60
100
100
20
200
-
典型值。
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
400
750
0.95
1.3
-
-
-
300
-
-
8.5
单位
V
V
V
nA
mV
mV
V
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC =为1mA。 IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCE = 35V , VBE = 0.4V
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 0.1毫安
VCE = 1V , IC = 1毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 2V , IC = 150毫安
VCE = 2V , IC = 500毫安
IC = 20mA时, VCE = 10V , F = 100MHz的
VCE = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
兆赫
PF
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。