TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
2N6520
PNP外延平面晶体管
描述
该2N6520是专为一般用途的应用要求高
击穿电压。
特点
•
高集电极发射极击穿电压。
•
低集电极 - 发射极饱和电压。
•
的2N6520互补2N6517 。
绝对最大额定值
•
最高温度
储存温度........................................................................................................... -55〜 + 150°C
结温................................................ ................................................. + 150 ° C最大
•
最大功率耗散
总功率耗散(Ta=25°C)............................................................................................. 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极基Voltage.................................................................................................... 350 V
VCEO集电极到发射极Voltage................................................................................................. 350 V
VEBO发射器基Voltage........................................................................................................... 5 V
IC集电极电流................................................................................................................... 500毫安
IB基本电流......................................................................................................................... 250毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(SAT)1
VCE(SAT)2
VCE(SAT)3
VCE(SAT)4
VBE （ON）的
VBE(SAT)1
VBE(SAT)2
VBE(SAT)3
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
分钟。
350
350
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
30
20
15
40
-
典型值。
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马克斯。
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-
-
50
50
0.30
0.35
0.50
1.00
2
0.75
0.85
0.90
-
-
200
200
-
200
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 250V ， IE = 0
VEB = 4V ， IC = 0
IC = 10毫安IB = 1毫安
IC = 20mA下IB = 2毫安
IC = 30毫安IB = 3毫安
IC = 50毫安IB = 5毫安
IC = 100毫安VCE = 10V
IC = 10毫安IB = 1毫安
IC = 20mA下IB = 2毫安
IC = 30毫安IB = 3毫安
VCE = 10V IC = 1毫安
VCE = 10V IC = 10毫安
VCE = 10V IC = 30毫安
VCE = 10V IC = 50毫安
VCE = 10V IC =百毫安
IC = 10毫安VCE = 20V F = 20MHz的
VCB = 20V F = 1MHz的IE = 0
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
兆赫
pF
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
