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型号: DB4
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内容描述: 硅双向DIACS [Silicon Bidirectional Diacs]
分类和应用: 数据判读及分析中心
文件页数/大小: 2 页 / 138 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
 浏览型号DB4的Datasheet PDF文件第2页  
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
DB3/DB4
硅双向DIACS
电压范围: 28-45 V
DO-35
特点
这三个层, 2 termnal ,轴向引线,密封
1111sealed
单IGBT是专门用于触发设计
1111thyristors.They
展示低导通电流
1111breakover
电压,因为他们承受峰值脉冲
1111current,The
导通对称性3中
1111volts(DB3,DB4).
这些单IGBT旨在用于在使用中
CCCthyrisitors
相位控制,对灯具的调光电路,
FFFI
通用电机速度控制和热控制。
绝对额定值
参数
在打印功耗
T
A
=50
o
-C电路( L = 10毫米)
重复峰值通态
当前
TP = 20秒
f=120Hz
尺寸以英寸(毫米)
符号
DB3,DB4
单位
Pc
150.0
mW
I
TRM
T
J
T
英镑
2.0
-40--- +125
-40--- +125
A
o
工作结温
储存温度
C
C
o
电气特性
参数
测试条件
击穿电压
(注
1)
V
BO
I + V
BO
I-
我-V
BO
I
VI
V
o
I
BO
t
r
I
R
C=22nf
(注2 )
见图1
C=22nf
(注2 )
见图1
I=(I
BO
到我
F
=10mA)
见图1
见图2
C=22nf
(注2 )
看科幻G.3
V
R
=0.5 V
BO
见图1
DB3
28
32
36
±3.0
DB4
35
40
45
单位
典型值
最大
V
转折电压对称性
动态击穿电压
(注1 )
输出电压
(注1 )
导通电流
(注1 )
上升时间
(注1 )
漏电流
(注1 )
最大
最大
典型值
最大
V
V
V
A
S
A
5.0
5.0
100.0
1.5
10.0
注:适用于既FORW ARD 1.Electrical特性和反向dirctions 。
2.Connected并行瓦特第i个设备