TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
600V N沟道MOSFET
描述
FQP12N60
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产
’
s
专有的，平面的， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些
器件非常适用于高效率开关模式电源。
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
参数
漏源电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅源电压
功耗
马克斯。工作结温
O
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
P
D
T
j
T
英镑
价值
600
10.5
42
±30
180
150
-55~150
单位
V
A
A
V
W
o
C
C
储存温度
o
TO-220
电气特性（TA = 25℃ ）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源二极管的正向电压
符号
测试条件
分钟。
600
—
—
—
2.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
0.55
—
马克斯。
—
1.0
100
-100
4.0
0.7
1.4
单位
V
uA
nA
nA
V
W
V
O
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
SD
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
= -30V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 10.5 A
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
