TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
N沟道功率MOSFET
描述
过程特别设计以减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合作为高级的主开关
highefficiency ，高频隔离DC -DC转换器，电信和
计算机应用。它也适用于具有低门的任何应用程序
驱动要求。
IRFZ44N
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
O
参数
漏源电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅源电压
功耗
马克斯。工作结温
l
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
P
D
T
j
T
英镑
价值
55
49
160
±
20
94
150
-55~150
单位
V
A
A
V
W
o
o
C
C
TO-220
储存温度
电气特性（ TA = 25
O
C)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源二极管的正向电压
符号
测试条件
分钟。
55
—
—
—
2.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
3.0
—
—
马克斯。
—
10
100
-100
4.0
0.0175
1.3
单位
V
uA
nA
nA
V
W
V
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250
μ
A
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
SD
V
DS
=55V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
= -20V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 25 A
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
