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型号: MJE13007
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 56 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
   
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
硅NPN ,高功率晶体管在一个塑料外壳,主要
在高速功率开关电路。
绝对最大额定值( TA = 25℃ )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
O
MJE13007
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
700
400
9
8.0
4
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
TO-220
储存温度
电气特性( TA = 25
O
C)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
符号
测试条件
V
CE
= 700V ,我
E
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2.0A
V
CE
= 5V ,我
C
=5.0A
I
C
=8.0A,I
B
=2.0A
I
C
=5.0A,I
B
=1.0A
分钟。
400
8
6
4
典型值。
110
1.7
马克斯。
1.0
1.0
40
30
3.0
1.5
1.6
4.0
V
兆赫
pF
us
V
单位
mA
mA
V
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
关闭时间
V
BE ( SAT )
I
C
=5.0A,I
B
=1.0A
f
T
C
ob
t
S
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A,f=1MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=0.1MHz
I
B1
=-I
B2
=1.6A,T
P
=25
μ
s
PDF
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