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MMBT2222ALT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT2222ALT1
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
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TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
MMBT2222ALT1
NPN外延平面晶体管
描述
MMBT2222ALT1
是专为通用放大器和
高速切换,中等功率开关应用。
特点
高频电流增益。
高速开关。
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................... -55〜 + 150°C
连接点Temperature......................................................................................................+150°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 250毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 75 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 6 V
IC集电极电流....................................................................................................... 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
分钟。
75
40
6
-
-
-
-
-
-
-
35
50
75
100
40
300
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
10
500
1.0
1.2
2.0
-
-
-
300
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
V
V
V
测试条件
IC=10uA
IC=10mA
IC=10uA
VCB=60V
VCE = 60V , VEB ( OFF) = 3V
VEB=3V
IC = 380毫安, IB = 10毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 10V , IC = 100uA的
VCE = 10V , IC = 1毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 150毫安
VCE = 10V , IC = 500毫安
VCB = 20V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
兆赫
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。