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S9015图片预览
型号: S9015
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
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TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
S9015
PNP外延平面晶体管
描述
S9015
被设计为使用在前置放大器的低级别和低
噪声。
特点
高总功耗。 ( PD :为450mW )
补充
S9014
高的hFE和良好的线性。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................... -55〜 + 150°C
结温................................................ ..................................... + 150 ° C最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 450毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流........................................................................................................百毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
COB
fT
分钟。
50
45
5.0
-
-
-
-
0.6
100
-
100
典型值。
-
-
-
-
-
0.20
0.82
0.65
200
4.5
190
马克斯。
-
-
-
50
50
0.7
1.0
0.75
600
7.0
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
pF
兆赫
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
VCE = 5V , IC = 10毫安
在hFE1分类
范围
B
100-300
C
200-600
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。