TG430 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TG430
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内容描述：	500V N沟道MOSFET [500V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 65 K
品牌：	TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]

TGS

500V N沟道MOSFET

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体生产

’

专有的，

平面条形， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

TIGER ELECTRONIC CO 。， LTD 。

产品speci fi cation

TG430

绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）

参数

漏源电压

漏电流 - 连续

漏电流 - 脉冲

栅源电压

功耗

马克斯。工作结温

DSS

GSS

英镑

价值

500

4.5

150

-55~150

单位

TO-252

储存温度

电气特性（ TA = 25

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

漏源二极管的正向电压

符号

测试条件

分钟。

500

—

3.0

—

典型值。

—

1.36

—

马克斯。

—

1.0

100

-100

5.0

1.8

1.4

单位

DSS

= 0V时，我

=250

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

=500V, V

=0V

=30V, V

=0V

= -30V, V

=0V

= V

, I

=250

DS （ ON）

= 10 V，I

= 2.25 A

= 0 V，I

= 4.5 A

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