THV3543_Rev.1.00_E
电压基准电路
电压基准电路产生温度补偿的电压（1.2V ），其被用作内部参考
电压。还有一个外部负载电流（最高至1mA ，最大），可以从VREF引脚获得。请连接
电容VREF引脚和SGND稳定性之间（ 0.01μF ） 。
VREG5
VREG5是内置的5V稳压器本地。请连接VREG5引脚和SGND之间的外部电容（ 10μF ） 。
振荡器电路
振荡频率在内部固定为500kHz的。
过热关机（ TSD ）
热关断电路内置于防止因过热损坏。当结温
达到175
°C,
TSD电路停止开关操作和调节VREG5操作。释放温度
160°C.
DC / DC转换CH-1 ， CH-2
CH- 1和CH -2的PWM控制器。 CH - 1是升压， CH - 2固定为3.3V的降压。功率MOSFET及以上
电流检测电路是内置的。 CH - 1 LX1引脚的最大占空比为8.3 ％ ， CH- 2 LL2引脚为88 ％ 。
电荷泵电路VGH ， VGL
VGH是正电荷泵和VGL为负。 VGH和VGL还可以在PFM模式下运行。占空比
VGH的比率固定为50 ％ ， VGL被固定在80 ％。
VO2_OK ， VGH_OK
VO2_OK和VGH_OK是下拉晶体管的漏极开路输出。当电源被接通时，该
晶体管导通时拉动VO2_OK销和VGH_OK引脚接地电平。在CH -2和钩选各电压
达到正常输出电压的85％， VO2_OK和VGH_OK分别被关断。
负荷开关控制
LSW_OUT1引脚控制后正常启动VGL的外部P沟道MOSFET的负载开关。软启动功能
内置的。
LSW_OUT2管脚为漏极开路输出。当PG_LOGIC销被接通高电平，下拉晶体管截止。
LSW_OUT2引脚可以用作外部N-CH MOSFET的负载开关控制器或电平移位器。
运算放大器连接器
运算放大器是用于Vcom的或半AVDD 。使用外接双极型晶体管时，输出电流大
是必须的。
LDO
LDO都内置了回收型限流保护。负载电流能力范围内250毫安。输出
电压由外部电阻（参见“输出电压设置（ LDO ） ” ）进行设置。
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