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2SC2625 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2625
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内容描述: 80瓦NPN型外延硅功率晶体管 [80 Watt NPN Type Epitaxial Silicon Power Transistor ]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 2 页 / 437 K
品牌: THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
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2SC2625
无铅电镀产品
®
2SC2625
Pb
80 WATT NPN外延硅晶体管
特点
高电压,高开关速度
高可靠性
集热器
应用
开关稳压器
超声波发生器
高频逆变器
通用功率放大器
C
B
E
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PB )和符号
最大额定值和特性
绝对最大额定值(TC = 25 ° C除非另有说明)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
收藏家功率disspation
工作结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEO ( SUS )
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
评级
450
400
400
7
10
3
80
+150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性(T
c
= 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极漏电流
发射极基极漏电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
*1
开关时间
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEO ( SUS )
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
英镑
t
f
测试条件
I
CBO
= 1毫安
I
首席执行官
= 10毫安
I
C
= 1A
I
EBO
= 0.1毫安
V
CBO
= 450V
V
EBO
= 7V
I
C
= 4A ,V
CE
= 5V
I
C
= 4A ,我
B
= 0.8A
I
C
= 7.5A ,我
B1
= -I
B2
= 1.5A
R
L
= 20欧姆, PW = 20μs的占空比= <2 %
分钟。
450
400
400
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
V
µs
µs
µs
-
-
-
-
1.0
0.1
1.2
1.5
1.0
2.0
1.0
10
热特性
热阻
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
1.55
单位
° C / W
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