2SD1163 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1163
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内容描述：	NPN硅外延功率晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 399 K
品牌：	THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]

2SD1163/2SD1163A

无铅电镀产品

2SD1163/2SD1163A

NPN硅外延功率晶体管

产品特点：

*中功率线性开关应用

低集电极饱和电压

电视水平偏转输出

15.70

±0.20

2.80

±0.20

9.90

±0.20

φ3

4.50

±0.20

1.30

±0.20

13.08

±0.20

集热器

BASE

9.19

±0.20

6.50

±0.20

辐射源

1.基地

2.收集

3.辐射源

0.80

±0.20

2.54typ

0.50

±0.20

单位：毫米

TO-220C

包装尺寸为

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SD1163

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1163A

2SD1163

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1163A

EBO

C（浪涌）

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极电流浪涌

集电极耗散功率

结温

储存温度

=25℃

集电极开路

开基

150

-55~150

℃

发射极开路

350

120

条件

价值

300

单位

3.02

±0.20

1.27

±0.20

1.52

±0.20

2.40

±0.20

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http://www.thinkisemi.com/

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