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TLC271CDR 参数 Datasheet PDF下载

TLC271CDR图片预览
型号: TLC271CDR
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内容描述: LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 [LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS]
分类和应用: 运算放大器光电二极管
文件页数/大小: 82 页 / 1356 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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TLC271 , TLC271A , TLC271B
路LinCMOS ™可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
D
D
D
D
D
D
D
D
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
BIAS选择
NC
NC
V
DD
NC
OUT
NC
芯片载体
( FK )
陶瓷DIP
( JG )
D
D
输入失调电压漂移。 。 。通常
0.1
μV /月,
包括头30天
电源电压在很宽的范围
规定温度范围:
0℃至70℃。 。 。 3伏至16 V
- 40 ° C至85°C 。 。 。 4 V至16 V
- 55 ° C至125°C 。 。 。 5 V至16 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨( C-后缀
和I-后缀类型)
低噪声。 。 。 25纳伏/ √Hz的通常在
F = 1千赫(高偏置模式)
输出电压范围包括负
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
ESD保护电路
小外形封装选项还
可用磁带和卷轴
设计,在闭锁抗扰度
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS选择
V
DD
OUT
偏移N2
FK包装
( TOP VIEW )
描述
该TLC271运算放大器结合了
宽范围的输入失调电压等级低的
NC - 无内部连接
偏移电压漂移和高输入阻抗。在
此外, TLC271提供偏置选择模式
它允许用户选择用于特定功率耗散和交流性能的最佳组合
应用程序。这些器件采用德州仪器硅栅路LinCMOS ™技术,可提供补偿
电压稳定性远超过可与常规的金属栅工艺的稳定性。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
5毫伏
10毫伏
2毫伏
5毫伏
10毫伏
10毫伏
小尺寸
(D)
TLC271BCD
TLC271ACD
TLC271CD
TLC271BID
TLC271AID
TLC271ID
TLC271MD
塑料DIP
(P)
TLC271BCP
TLC271ACP
TLC271CP
TLC271BIP
TLC271AIP
TLC271IP
TLC271MP
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
TLC271MFK
TLC271MJG
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC271BCDR ) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
NC
GND
NC
偏移N2
NC
1