TMS320F206
数字信号处理器
SPRS050A - 1996年11月 - 修订1998年4月
TMS320F206端子功能
终奌站
名字
号
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
41
40
39
38
36
34
33
32
31
29
28
27
26
24
23
22
74
73
72
71
69
68
67
66
64
62
61
60
58
57
56
55
TYPE †
描述
数据和地址总线
并行数据总线D15 [最显著位（MSB） ]至D0 [至少显著位（LSB） ] 。 D15 -D0是
用于将TMS320F206和外部数据/程序存储器或I / O设备之间传输数据。
置于高阻抗状态时不输出（R / W的高点）或RS断言的时候。他们进入
高阻抗状态，当OFF为低电平有效。
I / O / Z
并行地址总线A15 （MSB）到A0 （LSB）。 A15- A0用于处理外部数据/程序
内存或I / O设备。这些信号进入高阻抗状态时， OFF为有效低电平。
O / Z
存储器控制信号
PS
DS
IS
53
51
52
O / Z
O / Z
O / Z
程序选择信号。 PS是始终高，除非低层断言用于传送到片外程序
空间。 PS进入高阻抗状态时， OFF为有效低电平。
数据选择信号。 DS为总是高，除非低层断言用于传送到片外程序
空间。 DS进入高阻抗状态，当OFF为低电平有效。
I / O空间选择信号。 IS是始终高，除非低层断言用于传送到I / O端口。 IS
进入高阻抗状态时， OFF为有效低电平。
数据就绪输入。就绪指示外部设备准备用于总线事务是
完成。如果外部设备未就绪（ READY低电平）时， TMS320F206等待一个周期，并检查
再次准备好。如果READY不使用，应拉高。
读/写信号。 R / W表示传送方向与外部设备进行通信时。读/写
通常是在读模式下（高） ，除非低电平被置为用于执行一个写操作。 R / W变
进入高阻抗状态OFF为低电平时。
读选择指示激活，外部读周期。 RD是活跃在所有的外部程序，数据和I / O
读取。 RD进入高阻抗状态，当OFF为低电平有效。在RD引脚的功能
进行编程，以提供一个倒R / W信号，而不是RD 。该FRDN位（位15）中的PMST
注册控件此选项。
准备
49
I
读/写
47
O / Z
RD
45
O / Z
† I =输入， O =输出， Z =高阻抗， PWR =电源， GND =接地
邮政信箱1443
•
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
