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T14L1024N-10C 参数 Datasheet PDF下载

T14L1024N-10C图片预览
型号: T14L1024N-10C
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 89 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T14L1024N
SRAM
特点
快速地址访问时间: 10月12日/ 15ns的
单3.3V ± 0.3V电源
中心电源/接地引脚配置
低功耗:一百○五分之一百一/ 100毫安
TTL I / O兼容
2.0V数据保持方式
取消时自动断电
可用的软件包:
- 32引脚300万和400万SOJ
- 32引脚TSOP 8x13.4mm和8x20mm
- 36球CSP ( 8x10mm )
128K ×8 HIGH SPEED
CMOS静态RAM
概述
该T14L1024N是一兆密度,快
静态随机存取存储器组织成
131,072
字由8位。它被设计为
在高性能的使用
内存应用
如主存储器存储和高速
通信缓冲区。采用高制作
性能的CMOS技术,访问时间
下降到10ns的得以实现。
框图
VCC
VSS
A0
.
..
.
A16
CE
数据I / O
WE
OE
解码器
型号示例
T14L1024N-10J
T14L1024N-10W
T14L1024N-10P
T14L1024N-10H
T14L1024N-10C
速度
SOJ 300MIL
10ns
SOJ 400万
10ns
10ns
TSOP 8x13.4mm
TSOP 8x20mm
10ns
36球CSP
10ns
CORE
ARRAY
I/O0
.
.
.
I/O7
引脚说明
符号
A0 - A16
I / O0 - I / O7
CE
WE
OE
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
版本:C