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T14M256A 参数 Datasheet PDF下载

T14M256A图片预览
型号: T14M256A
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 76 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T14M256A
AC特性
(
VCC
=5V
±
5 % , VSS = 0V ,TA = 0 〜70
°
C)
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
-7
-8
-10
-12
-15
单位
MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ
t
CHZ *
t
OHZ
t
OH
7
-
-
-
2
0
-
-
2
-
7
7
3.5
-
-
3.5
3.5
-
8
-
-
-
3
0
-
-
2.5
-
8
8
5
-
-
4
4
-
10
-
-
-
3
0
-
-
3
-
10
10
6
-
-
5
5
-
12
-
-
-
3
0
-
-
3
-
12
12
7
-
-
6
6
-
15
-
-
-
3
0
0
0
3
-
15
15
7
-
-
7
7
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
( 2 )写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
符号。
-7
-8
-10
-12
-15
单位
MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OHZ
t
OW
7
5
5
0
5
0
3.5
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3.5
-
8
6
6
0
6
0
5
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
4
4
-
10
8
8
0
8
0
6
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
5
5
-
12
10
10
0
10
0
8
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
6
6
-
15
11
11
0
11
0
8
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
6
7
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
TM科技公司保留权利
P. 4
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2004年
修订:H