tm
TE
CH
T15M1024A
SRAM
特点
•
低功耗
- 活动： 42毫安在为45nS
- 待机（ CMOS输入/输出）
0 ~ +70
°C
= 15uA
-40 ~ +85
°C
=的20uA
•
45/55/70/100 ns访问时间
•
平等机会和循环时间
•
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源
•
TTL兼容，三态输出
•
常见的I / O能力
•
取消时自动断电
•
可提供32引脚SOP ， TSOP -I （ 8x20mm ）
TSOP- Ⅰ（ 8x13.4mm ）和DIP （600密耳）的包。
128K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M1024A是一个非常低功耗CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。
可以工作在宽电压范围为+ 5V
（ ±10％）的电源，使用高装配
性能
CMOS
技术，
输入
和
三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。
框图
型号示例
产品型号
T15M1024A-55D
T15M1024A-70H
T15M1024A-100P
T15M1024A-100N
T15M1024A-55DI
T15M1024A-70HI
T15M1024A-100PI
T15M1024A-100NI
包
CODE
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
操作
温度
0 ~ +70
°C
VCC
VSS
A0
.
.
.
A16
WE
OE
CE1
CE2
解码器
CORE
ARRAY
-40 ~ +85
°C
控制
电路
数据I / O
I/O1
..
I/O8
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：十月2004年
版本：C
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
