tm
TE
CH
T15M256B
SRAM
特点
•
高速存取时间:50 /70/ 85/ 100纳秒
•
低电源电流:
- 操作: 35毫安(最大值)
- 待机:为10uA
•
电源: 5V ( ± 10 % )
•
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
•
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
•
常见的I / O能力
•
数据保持电压: 1.5V (最小值)
•
可用的软件包:
28引脚DIP ( 600mil ) , SOJ , SOP , TSOP -I
( 8x13.4mm正激式和反式) 。
•
工作温度:
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M256B是一款低功耗CMOS静态
内存。组织为32,768 ×8位,经营
在单5伏电源。低运行
和待机电流。数据保留有保证
在电源电压低至1.5V 。这
器件封装在一个标准的28针
DIP ( 600mil ) , SOJ , SOP , TSOP -I向前
相反的类型。
框图
VCC
→
VSS
→
A0
→
A14
→
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15M256B-70N
T15M256B-70J
T15M256B-70D
T15M256B-85P
T15M256B-85R
T15M256B-70NI
T15M256B-70JI
T15M256B-70DI
T15M256B-85PI
T15M256B-85RI
包
CODE
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I (转发)
R = TSOP - I(反转)
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I (转发)
R = TSOP - I(反转)
-40 ~ +85
°C
0 ~ +70
°C
操作
温度
CS
→
OE
→
控制
WE
→
←
I / O1
数据I / O
←
I / O8
.
.
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 1
出版日期:五月。 2002年
修订版:A