tm
TE
CH
初步T15M64A
SRAM
特点
•
高速存取时间：50 /70/ 85/ 100纳秒
•
低电源电流：
- 操作： 35毫安（最大值）
- 待机： 50uA的
•
电源： 5V （ ± 10 ％ ）
•
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
•
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
•
常见的I / O能力
•
数据保持电压： 1.5V （最小值）
•
可用的软件包：
28引脚DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP ，
TSOP- Ⅰ（ 8x13.4mm ） 。
•
工作温度： 0 〜+ 70
°C
8K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M64A是一款低功耗CMOS静态
内存。组织为8192 ×8位上操作
单5伏电源。低运行和
待机电流。数据保存期限保证在
电源电压可低至1.5V 。该装置
封装在一个标准的28管脚DIP （ 600mil ） ， SOJ ，
SOP ， TSOP -I型。
框图
VCC
→
V
SS
→
A0
.
.
.
A 12
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15M64A-100N
T15M64A-100J
T15M64A-100D
T15M64A-100P
包
CODE
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I
100ns
ACCESS
时间
CS
OE
WE
CONT ROL
ð AT A的I / O
I / O 1
.
.
.
I / O 8
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：九月2002年
修订： 0.A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
