tm
TE
CH
T15N1024A
SRAM
特点
•
低功耗
- 活动: 40毫安在55ns (最大)
- CMOS待机:为10uA (最大)
•
55/70/100 ns访问时间
•
平等机会和循环时间
•
单+ 2.4V至3.6V电源
•
TTL兼容,三态输出
•
常见的I / O能力
•
取消时自动断电
•
可提供32引脚SOP , TSOP -I ( 8x20mm )
TSOP -I ( 8x13.4mm ) ,48引脚CSP封装
•
工作温度:
商业:
工业:
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
128K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15N1024A是一个非常低功耗CMOS
静态RAM由8位, 131,072字。
可以工作在宽电压范围从2.4V
至3.6V电源供电,采用装配式高
性能
CMOS
技术,
输入
和
三态输出为TTL兼容,并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。
框图
型号示例
产品型号
T15N1024A-55D
T15N1024A-70H
T15N1024A-100P
T15N1024A-100C
T15N1024A-55DI
T15N1024A-70HI
T15N1024A-100PI
T15N1024A-100CI
包
CODE
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
C = CSP
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
C = CSP
操作
温度
0 ~ +70
°C
VCC
VSS
A0
.
.
.
A16
WE
OE
CE1
CE2
解码器
CORE
ARRAY
-40 ~ +85
°C
控制
电路
数据I / O
I/O1
..
I/O8
TM科技公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 1
出版日期:二月2003
版本:电子