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T15N1024A-100P 参数 Datasheet PDF下载

T15N1024A-100P图片预览
型号: T15N1024A-100P
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内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 93 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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加利D E F IN E D
注(写周期) :
1.低重叠期间,写操作
CE
1
,高CE2和低WE 。写在开头
中lateat过渡
CE
1
变低, CE2要高,我们要低。写在结尾
其中最早的转变
CE
1
要高, CE2要低,我们要高。 TWP是
从写入的开始写的末端测量。
2. TCW从后来的测量
CE
1
变低或CE2要高写的结尾。
3. TAS从地址有效到写操作的开始测量。
4. TWR从写入地址变更的末端测量。
TM科技公司保留权利
P. 8
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2003
版本:电子