T15V4M08A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15V4M08A
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内容描述：	512K ×8低功耗CMOS静态RAM [512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 76 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

初步T15V4M08A

SRAM

特点

•

低功耗

- 活动： 40毫安在55ns

- 待机： 10微安（ CMOS输入/输出）

•

55/70/100 ns访问时间

•

平等机会和循环时间

•

单+ 2.7V至3.6V电源

•

TTL兼容，三态输出

•

常见的I / O能力

•

取消时自动断电

•

可提供32引脚TSOP -I （ 8x13.4mm ）和

48引脚CSP封装

512K ×8低功耗

CMOS静态RAM

概述

该T15V4M08A是一个非常低功耗

CMOS静态RAM组织为524,288字经

8位。此设备由高制造

高性能CMOS技术。它可以是

在宽电源电压范围内运行

从+ 2.7V至+ 3.6V 。

该T15V4M08A输入和三态

输出为TTL兼容，并允许直接

常见的系统总线结构连接。

数据保存期限保证在电源

电压低至1.5V 。

型号示例

产品型号

T15V4M08A-55C

T15V4M08A-70P

封装代码

P = TSOP -I （ 8x13.4 ）

C = CSP

VCC

VSS

A18

解码器

CORE

ARRAY

控制

电路

数据I / O

I/O1

I/O8

框图

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 1

出版日期：三月2001年

修订： 0.A

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