T224162B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T224162B
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	256K ×16动态RAM EDO页模式 [256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	14 页 / 144 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T224162B

DRAM

256K ×16的动态

内存

EDO页模式

特点

•

行业标准×16引脚和时序

功能。

•

单5V （

10％）的电源。

•

所有器件引脚均与TTL兼容。

•

512周期刷新在8ms的。

•

刷新模式：仅RAS ， CAS前

RAS

（ CBR）和隐藏。

•

扩展数据输出（ EDO ）页模式

访问周期。

•

字节写和字节读访问

周期。

引脚配置（顶视图）

VCC

I/01

I/02

I/03

I/04

VCC

I/05

I/06

I/07

I/08

TSOP （II）的

CASL

现金

VSS

I/016

I/015

I/014

I/013

VSS

I/012

I/011

I/010

I/09

选项

定时

22ns

25ns

28ns

35ns

45ns

50ns

EDO

125兆赫

100兆赫

83兆赫

60兆赫

50兆赫

记号

-22

-25

-28

-35

-45

-50

RAS

VCC

包

SOJ

TSOP （II）的

概述

该T224162B是一个随机访问固态

组织在X16含4,194,304位内存

配置。该T224162B有两个字节

通过两个写和字写访问周期

CAS引脚。它提供了使用扩展快速页面模式

数据输出。

该T224162B

CAS

功能和定时是

由第一CAS决心变为低电平，并

通过最后转换回高。仅使用其中一个

两个CAS和保留其他高企时

写操作将导致字节写入。

CASL

过境低的写周期将数据写入

低字节（ IO1 〜 IO8 ），以及现金过境低

将数据写入高位字节（ IO9 〜 16）。

台湾记忆体技术，公司保留权利

P. 1

改变产品或规格，恕不另行通知。

VCC

I/01

I/02

I/03

I/04

VCC

I/05

I/06

I/07

I/08

RAS

VCC

SOJ

VSS

I/016

I/015

I/014

I/013

VSS

I/012

I/011

I/010

I/09

CASL

现金

VSS

出版日期：八月2000

修订：L

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案