tm
TE
CH
T35L6432A
同步
BURST SRAM
特点
¡E
AST访问时间： 4.5 ， 5 ， 6 ， 7 ，并为8ns
F
¡E
AST主频： 125100 ， 83 ， 66 ，和50兆赫
F
¡E
rovide高性能3-1-1-1接入速率
P
¡E
AST
OE
访问时间： 4.5 ， 5和为6ns
F
¡E
英格尔3.3V +10 ％ / - 5 ％电源
S
¡E
ommon数据输入和数据输出
C
¡E
YTE写使能和全局写
B
控制
¡E
重稀土芯片使深度扩展和
T
地址流水线
¡E
地址H1 ，控制，输入和输出管线
A
注册
¡E
nternally自定时写周期
I
¡E
RITE直通能力
W
¡E
URST控制引脚（交错或线性爆裂
B
序）
¡E
IGH密度，高速度包装
H
¡E
流电容总线负载
L
¡E
在额定接入室内运动场30pF的输出驱动能力
H
时间
¡E
NOOZE模式来减少功耗待机
S
¡E
单周期禁用（奔腾
TM
BSRAM
兼容）
64K ×32的SRAM
3.3V电源，正式注册的输入和
输出，突发计数器
引脚分配
（ TOP VIEW ）
ADSC
ADSP
BW4
BW3
BW2
BW1
GW
BWE
CE2
VCC
VSS
ADV
A8
CLK
CE
CE2
OE
A6
A7
A9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
DQ17
DQ18
VCCQ
VSSQ
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
VSSQ
VCCQ
DQ23
DQ24
NC
VCC
NC
VSS
DQ25
DQ26
VCCQ
VSSQ
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
VSSQ
VCCQ
DQ31
DQ32
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
NC
DQ16
DQ15
VCCQ
VSSQ
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
VSSQ
VCCQ
DQ10
DQ9
VSS
NC
VCC
ZZ
DQ8
DQ7
VCCQ
VSSQ
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSSQ
VCCQ
DQ2
DQ1
NC
100引脚QFP
or
100引脚TQFP
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
模式
VSS
VCC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A0
NC
NC
NC
NC
NC
A5
A4
A3
A2
A1
选项
定时
4.5ns访问/周期为8ns
5ns的访问/周期为10ns
6ns的访问/周期为12ns
7ns的访问/周期为15ns
为8ns接入/ 20ns的周期
包
100引脚QFP
100引脚TQFP
记号
-4.5
-5
-6
-7
-8
Q
T
概述
台湾内存技术同步
突发RAM系列采用：高速，低功耗
采用先进的三层CMOS设计
多晶硅，双层金属技术。每
存储器单元包括四个晶体管和两个
高价值的电阻。
该T35L6432A SRAM集成65536 ×32
SRAM单元具有先进的同步外设
电路和一个2位计数器，用于内部突发
操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发控制寄存器
时钟输入（CLK） 。同步输入包括
所有地址，所有的数据输入，地址流水线
P. 1
出版日期：十二月1998年
修订版：A
型号示例
产品型号
PKG 。突发序列
T35L6432A - 5Q Q交错
（ MODE = NC或VCC ）
T35L6432A - 5T牛逼
线性（ MODE = GND）
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
