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T35L6432B-10Q 参数 Datasheet PDF下载

T35L6432B-10Q图片预览
型号: T35L6432B-10Q
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内容描述: 64K ×32的SRAM [64K x 32 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 163 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T35L6432B
同步
BURST SRAM
特点
快速访问时间:9 /10/ 11/12纳秒
3.3V单电源( + 0.3V / -0.165V )电源
常见的数据输入和数据输出
单个字节写使能和
全局写控制
三芯片使深度扩展和
地址流水线
时钟控制和注册地址,数据
I / O和控制信号
内部自定时写周期
突发控制引脚(交错或线性爆裂
序)
在额定接入30pF的高输出驱动能力
时间
贪睡模式,可降低待机功耗
突发序列:
- 交错( MODE = NC或VCC )
- 线性( MODE = GND)
64K ×32的SRAM
流过突发模式
概述
台湾内存技术同步
突发RAM系列采用高速,低功耗
CMOS设计,采用先进的三层多晶硅,
双层金属技术。每个存储器单元
包括四个晶体管和两个高值电阻器。
该T35L6432B SRAM集成65536 ×32
SRAM单元具有先进的同步外设
电路和一个2位计数器,用于内部突发操作。
所有的同步输入端通过控制寄存器控
由一个正沿触发时钟输入(CLK) 。该
同步输入包括所有地址,所有的数据输入,
地址流水线
输入(
ADSC
,
芯片
启用
(
CE
) ,深度 -
扩展芯片使能(
CE2
和CE2 ) ,突发控制
ADSP
ADV
) ,写使能
(
BW1
,
BW2
,
BW3
,
BW4
BWE
) ,以及
全局写(
GW
).
异步输入包括输出使能
(
OE
) ,贪睡使能( ZZ )和突发模式控制
(模式) 。的数据输出(Q ) ,通过使能
OE
,是
也是异步的。
地址和芯片使能相登记
无论是地址状态处理器(
ADSP
)或地址
状态控制器(
ADSC
)输入引脚。随后爆
地址可以被内部产生由作为控制
突发提前引脚(
ADV
).
地址和写控制记录片
启动自定时写周期。写周期
由写所控制可以包含一到四个字节宽
控制输入。单个字节写入允许个人
选项
记号
-9
ACCESS
9ns
液流 -
时间
通过
周期
2-1-1-1
10.5ns
时间
-10
10ns
15ns
-11
11ns
15ns
-12
12ns
15ns
100引脚QFP
100引脚TQFP
封装代码
Q
T
型号示例
产品型号
T35L6432B-10Q
T35L6432B-12T
速度
10ns
12ns
QFP
TQFP
BW1
控制DQ1 - DQ8 。
BW2
控制DQ9 - DQ16 。
BW3
控制DQ17-
BW4
控制DQ25 - DQ32 。
BW1
,
DQ 24 。
BW2
,
BW3
BW4
可以是活性只与
BWE
为低。
GW
为低导致所有
字节被写入。
字节写入。写透传功能
在允许的输出写入可用数据
马上下一个读周期。该器件还
结合流水线使电路易于深度
扩展无惩罚系统性能。
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 1
出版日期:七月2002年
修订版:A