tm
TE
CH
T35L6464A
同步
BURST SRAM
特点
•
快速访问时间：5， 6，7，和为8ns
•
快速的时钟速度： 100 ， 83 ， 66 ，和50兆赫
•
提供高性能3-1-1-1接入速率
•
快速OE访问时间： 5和为6ns
•
3.3V单电源+ 10 ％ / -5V电源
•
常见的数据输入和数据输出
•
字节写使能和全球
写控制
•
五个芯片使深度扩展和
地址流水线
•
地址，控制，输入和输出管线
注册
•
内部自定时限的写周期
•
写透传功能
•
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
•
高密度，高速包
•
低电容总线负载
•
在额定接入30pF的高输出驱动能力
时间
•
贪睡模式，可降低待机功耗
•
单周期禁用（奔腾
Tm值
BSRAM
兼容）
64K ×64的SRAM
3.3V电源，完全注册和输出，
串计数器
引脚分配
（ TOP VIEW ）
128127126125 124 123122 121 120 119 118117 116115114113112111110109108107106105104103
VSSQ
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VCCQ
VSSQ
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
VCCQ
VSSQ
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ64
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
VSS
VCC
CE
BW8
BW7
BW6
BW5
OE
CLK
BWE
GW
BW4
BW3
VSS
VCC
BW2
BW1
ADSC
ADSP
ADV
VSSQ
VCCQ
CE3
CE2
CE3
CE2
128引脚QFP
or
128引脚LQFP
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
VCCQ
DQ32
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
DQ26
DQ25
DQ24
DQ23
DQ22
VSSQ
VCCQ
DQ21
DQ20
DQ19
DQ18
DQ17
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSSQ
VCCQ
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
VSSQ
39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64
VSSQ
NC
模式
A15
A14
A13
VCC
VSS
A12
A11
A10
A9
A8
NC
A7
A6
A5
A4
A3
VCC
VSS
A2
A1
A0
ZZ
VCCQ
选项
定时
5ns的访问/周期为10ns
6ns的访问/周期为12ns
7ns的访问/周期为15ns
为8ns接入/ 20ns的周期
包
128引脚QFP
128引脚LQFP
记号
-5
-6
-7
-8
Q
L
概述
台湾内存技术同步
突发RAM系列采用：高速，低功耗
采用先进的三层CMOS设计
多晶硅，双层金属技术。每
存储器单元包括四个晶体管和两个
高价值的电阻。
该T35L6464A SRAM集成65536 ×64
SRAM单元具有先进的同步外设
电路和一个2位计数器，用于内部突发
操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发控制寄存器
时钟输入（CLK） 。同步输入包括
所有地址，所有的数据输入，三低电平有效
片选（ CE ， CE2和CE3 ） ，另外两个
芯片使能（ CE2和CE3 ） ，突发控制输入
出版日期：八月1998年
版本：电子
型号示例
产品型号
T35L6464A -5Q
T35L6464A -5L
PKG 。
Q
L
突发序列
交错
（ MODE = NC或VCC ）
线性（ MODE = GND）
台湾记忆体技术，公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
